Вычислительная техника. Захаров Н.Г - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

42
R2
VT3
VT2
VT1
R1 R3
VT4
о
VD4
VT6
R4
VT5
R5
о
о
&
Х
Х
Х
Х
Х
Х
1
1
2
2
3
3
Y
U
о
E
о
U
Y = X X X
+
а б
Рис. 2.18. Схема логического элемента И-НЕ серий 530, 531 ТТЛШ (а)
и его функциональное обозначение (б)
Идея использования нелинейной отрицательной обратной связи для повышения
быстродействия транзисторных ключей состоит в следующем. Известно, что время,
затрачиваемое на формирование фронта выходного импульса, определяется рассасы-
ванием инжектированных неосновных носителей, когда транзистор переходит из на-
сыщения в область отсечки. Необходимо предотвратить вхождение транзистора в ре-
жим глубокого насыщения. Это может быть достигнуто путем приложения к участку
база-коллектор запирающего напряжения.
Если между базой и коллектором включить диод Шоттки, подсоединив анодом
к базе, то при отпирании транзистора на коллекторе в некоторый момент времени ус-
танавливается потенциал, отпирающий диод Шоттки. Напряжение отпирания пере-
хода Шоттки 0,4–0,5 В, т. е. меньше, чем падение на переходе база-коллектор и, сле-
довательно, диод Шоттки откроется раньше, чем переход база-коллектор. Таким
образом коллекторный переход оказывается запертым и режим насыщения исключа-
ется. Важным достоинством диодов Шоттки является то, что в них отсутствует
инжекция неосновных носителей. В связи с этим при выключении не затрачивается
время на рассасывание избыточного заряда и время их переключения составляет
около 0,1 нс.
вых
п
вх
VD1 – VD3
1 2
3

Страницы