ВУЗ:
Составители:
43
В серии ТТЛШ 1531, 1533 использованы транзисторы с диодом Шоттки с очень
малым объемом коллекторной области, чем реализовано практически предельное бы-
стродействие. На рис. 2.19 представлена схема ТТЛШ 1531 серии, реализующая опе-
рацию И-HE.
VD2
VD3 VD4
VT6
VT1
VT4
VD1
VD6
VD5
VT2
VT3
VT5
o
o
o
o
R1 R2 R4 R5
R8R3
Х
Х
1
2
R6
R7
+E
Y = Х Х
Рис. 2.19. Принципиальная схема элемента ТТЛШ серии 1531
Чтобы сохранить значительную нагрузочную способность элемента, входной
ток низкого уровня уменьшен примерно в 10 раз. Для этого в схему ЛЭ добавлен по-
сле логической диодной матрицы эмиттерный повторитель на транзисторе VT1. Рези-
сторы R1 и R3 фиксируют пороговое напряжение на уровне 1,5 В, что повышает по-
мехоустойчивость ЛЭ.
В таблице 2.10 приведены сравнительные характеристики различных серий
ТТЛ-элементов по быстродействию и потребляемой мощности.
Таблица 2.10
Серия ТТЛ К134 К155 К131 К555 К531 К1533 К1531
t
з.ср.
, нс 33 9 6 9,5 3 4 3
Р
ном
, мВт 1 10 22 2 19 1,2 4
1 2
п
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »
