Аналоговая электроника. Заярный В.П - 18 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

области имеются два вида основных носителей заряда: неподвижные отри-

цательно заряженные ионы атомов акцепторной примеси и свободные, по-

ложительно заряженные дырки. В n-области также имеются два вида ос-

новных носителей заряда: неподвижные положительно заряженные ионы

атомов донорной примеси и свободные, отрицательно заряженные элек-

троны. До соприкосновения p и n областей все вышеперечисленные носи-

тели зарядов распределены равномерно. При контакте, на границе p и n

областей возникает градиент концентрации свободных носителей заряда и

диффузия. В процессе диффузии электроны (дырки) из n (p) – области пе-

реходят в p (n) – область и там рекомбинируют с дырками (электронами).

В результате такого движения свободных носителей заряда их концентра-

ция на границе раздела p и n областей убывает почти до нуля. В p – облас-

ти образуется отрицательный пространственный заряд ионов акцепторной

примеси, а в n – области – положительный пространственный заряд ионов

донорной примеси. Между этими зарядами возникает контактная разность

потенциалов φ

и электрическое поле E

, которое препятствует диффузии

свободных носителей заряда из глубины p и n областей через p–n переход

(рис. 1, а). Область, объединенная свободными носителями заряда со сво-

Рис. 1. p – n переход при отсутствии внешнего напряжения: а – поперечное сечение;

б – зависимость концентрации основных носителей заряда от ширины

p–n перехода; в – распределение потенциала по ширине p–n перехода