Аналоговая электроника. Заярный В.П - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

20
Если
дa
NN , то
np
ll и в этом случае
n
p
переход называется
симметричным. Если
дa
NN , то
pn
ll и
n
p
переход называется несим-
метричным, причем он в основном располагается в высокоомной n-области
полупроводника с меньшей (по сравнению с p – областью) концентрацией
примеси.
В равновесном состоянии через p – n переход движутся два встреч-
ных потока зарядов (протекают два тока). Это дрейфовый ток
др
j , обуслов-
ленный неосновными носителями заряда и диффузионный ток
диф
j , кото-
рый обусловлен основными носителями заряда. Так как внешнее напряже-
ние отсутствует, то эти токи взаимно уравновешиваются и результирую-
щий ток равен нулю:
0
дрдиф
jjj . (5)
Соотношение (5) называют условием динамического равновесия
процессов диффузии и дрейфа в изолированном p – n переходе. Оно вы-
полняется только при определенном значении контактной разности потен-
циалов
k
, удовлетворяющей выражению (1).
Если к p – n переходу подключить внешнее напряжение, то условие
динамического равновесия токов (5) будет нарушено. В зависимости от
полярности напряжения, приложенного к
p
и
n
областям перехода, воз-
можны два режима работы.
1. Прямое смещение
n
p
перехода. p – n переход считается смещен-
ным в прямом направлении, если положительный полюс внешнего источ-
ника питания подключен к p области, а отрицательный к n области (рис. 2).
Рис. 2. p–n переход при прямом смещении

Страницы