Аналоговая электроника. Заярный В.П - 22 стр.

22

Рис. 3. p – n переход при обратном смещении

При этом электрическое поле источника питания суммируется с

внутренним полем перехода, что приводит к увеличению высоты потенци-

ального барьера до величины U



ходит увеличение ширины

перехода. Процесс диффузии полностью

прекращается и через

новных носителей заряда. Такой ток называют обратным, а поскольку он

связан с неосновными носителями заряда, которые возникают за счет тер-

могенерации, то его называют тепловым током и обозначают

диф

0

носителями заряда, концентрация которых мала по сравнению с концен-

трацией основных носителей заряда. Таким образом,

ет односторонней проводимостью.

При обратном смещении концентрация неосновных носителей заряда

на границе перехода несколько снижается по сравнению с равновесной.

Это приводит к диффузии неосновных носителей заряда из глубины

реход, где становятся основными носителями заряда. Данное явление, на-

зывается экстракцией. Она и создает обратный ток

перехода – ток не-

основных носителей заряда. Величина обратного тока сильно зависит от

температуры окружающей среды, а также материала полупроводника.