ВУЗ:
Составители:
22
Рис. 3. p – n переход при обратном смещении
При этом электрическое поле источника питания суммируется с
внутренним полем перехода, что приводит к увеличению высоты потенци-
ального барьера до величины U
k
. Напряженность электрического поля
также возрастает, и, так как в соответствии с (4)
21
Ul
knp
, то проис-
ходит увеличение ширины
n
p
перехода. Процесс диффузии полностью
прекращается и через
n
p
переход протекает дрейфовый ток, ток неос-
новных носителей заряда. Такой ток называют обратным, а поскольку он
связан с неосновными носителями заряда, которые возникают за счет тер-
могенерации, то его называют тепловым током и обозначают
0
I , то есть:
0
IIIIII
дрдрдифобрnp
. (8)
Этот ток мал по величине
диф
II
0
, так как связан с неосновными
носителями заряда, концентрация которых мала по сравнению с концен-
трацией основных носителей заряда. Таким образом,
n
p
переход облада-
ет односторонней проводимостью.
При обратном смещении концентрация неосновных носителей заряда
на границе перехода несколько снижается по сравнению с равновесной.
Это приводит к диффузии неосновных носителей заряда из глубины
p
и
n
областей к границе
n
p
перехода. Достигнув ее, неосновные носители за-
ряда попадают в сильное электрическое поле и переносятся через
n
p
пе-
реход, где становятся основными носителями заряда. Данное явление, на-
зывается экстракцией. Она и создает обратный ток
n
p
перехода – ток не-
основных носителей заряда. Величина обратного тока сильно зависит от
температуры окружающей среды, а также материала полупроводника.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »