Аналоговая электроника. Заярный В.П - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

23
Температурная зависимость обратного тока определяется формулой:
*
0
0
2
00
Т
ТТ
ТТ
II
, (9)
где
0
Т
– номинальная температура,
Т
– фактическая температура,
*
Т
–
температура удвоения теплового тока:
GeС
SiС
Т
,108
,65
*
.
Тепловой ток кремниевого перехода много меньше теплового тока
перехода на основе германия (на 3-4 порядка). Это связано с величиной
k
(у кремния больше ширина запрещенной зоны, следовательно, меньшая
концентрация неосновных носителей заряда при фактической температуре Т)
материала.
Таким образом, мы установили, что главное свойство
n
p
перехода
– это его односторонняя проводимость.
2.1.2. Вольт - амперная характеристика
полупроводникового диода
Полупроводниковым диодом называется прибор с одним
n
p
пере-
ходом, имеющий два омических вывода (рис. 4, а). На рис. 4, б приведено
условное графическое обозначение (УГО) полупроводникового диода для
электрических схем. Одна из областей
n
p
структуры
p , называется
эмиттером или анодом (данное название используется более часто), другая
область
n , называется базой или катодом.
а б
Рис. 4. Структура (а) и условное графическое обозначение (б)
полупроводникового диода

Страницы