Аналоговая электроника. Заярный В.П - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

24
На рис. 5 изображена статическая вольт – амперная характеристика
(ВАХ) полупроводникового диода. Здесь же пунктиром показана теорети-
ческая ВАХ электронно-дырочного перехода, определяемая формулой
Шоттки:
1
0
Т
UеxpII
. (10)
Рис. 5. ВАХ полупроводникового диода (штрихом изображена
теоретическая ВАХ)
Кремниевые диоды имеют существенно меньшее значение обратного
тока по сравнению с германиевыми вследствие более низкой концентрации
неосновных носителей заряда, поэтому обратная ветвь ВАХ у кремниевых
диодов при данном масштабе практически сливается с осью абсцисс.
Одним из наиболее важных параметров является дифференциальное
сопротивление диода, представляющее собой отношение приращения на-
пряжения на диоде к вызванному им приращению тока:
I
dI
dU
r
Т
диф
.
В том случае, когда обратное напряжение диода превышает опреде-
ленное критическое значение, наблюдается резкий рост обратного тока
(рис. 6). Данное явление называется пробоем диода и возникает оно в двух
случаях:

Страницы