Аналоговая электроника. Заярный В.П - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

21
В случае прямого смещения внутреннее электрическое поле в пере-
ходе
к
Е направлено встречно электрическому полю, создаваемому источ-
ником питания
U
. При этом результирующее напряжение на p–n переходе
убывает до величины U
k
. Это приводит к тому, что напряженность
электрического поля также убывает и возобновляется процесс диффузии
основных носителей заряда. Кроме того, при прямом смещении происхо-
дит уменьшение ширины p–n перехода, так как в соответствии с (4),
21
Ul
knp
. Ток диффузии, ток основных носителей заряда в этом слу-
чае становится много больше дрейфового. Таким образом, через p–n пере-
ход протекает прямой ток:
дифдрдифпрnp
IIIII
. (6)
При протекании прямого тока основные носители заряда
p
области
переходят в
n
область, где становятся неосновными. Диффузионный про-
цесс введения основных носителей заряда в область, где они становятся
неосновными, называется инжекцией, а прямой ток – диффузионным то-
ком или током инжекции. Для компенсации неосновных носителей заряда,
накапливающихся в
p
и
n
областях во внешней цепи, возникает электрон-
ный ток от источника напряжения. То есть принцип электронейтральности
сохраняется.
При увеличении напряжения U, ток резко возрастает и может дости-
гать больших величин, так как связан с основными носителями заряда,
концентрация которых велика. Ток через прямо смещенный p–n переход
определяется соотношением:
Т
пр
U
еxpII
0
, (7)
где
0
I – тепловой ток или ток насыщения.
2. Обратное смещение p–n перехода. p–n переход считается смещён-
ным в обратном направлении, если положительный полюс внешнего ис-
точника питания подключен к n области, а отрицательный к p области
(рис. 3).

Страницы