Аналоговая электроника. Заярный В.П - 39 стр.

39

4. Игумнов, Д. В. Полупроводниковые устройства непрерывного дей-

ствия. / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина. – М. Радио и связь, 1990.

5. Манаев, Е.И. Основы радиоэлектроники. / Е.И. Манаев. – М. Ра-

дио и связь, 1990.

3. ТРАНЗИСТОРЫ

использования носителей заряда обоих знаков – электронов и дырок,

вследствие чего и получили такое название. Их рабочая часть представляет

собой монокристаллическую пластину полупроводника, в которой, путем

соответствующего распределения примесей, созданы два близкорасполо-

женных p-n-перехода. Область между обоими переходами принято назы-

вать базой транзистора, а оконечные области – эмиттером и коллектором.

Эмиттер осуществляет инжекцию (введение) неосновных носителей заря-

дов в базу, а коллектор – экстракцию (сбор) носителей.

Такую систему из двух переходов можно осуществить двумя спосо-

бами: создавая у эмиттера и коллектора дырочную (или электронную) про-

а б

Рис. 1. Электронно-дырочные переходы транзистора и его условное графическое