Аналоговая электроника. Заярный В.П - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВолгГТУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

40
Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков, различие за-
ключается лишь в том, что в транзисторе
n
p
n
типа через базу к коллек-
тору движутся электроны, инжектированные эмиттером, а в транзисторе
p
n
p
типа – дырки. Для этого к электродам транзистора подключают
источники тока противоположной полярности.
Основными режимами работы биполярного транзистора являются:
активный режим; режим насыщения; инверсный режим и режим отсечки. В
активном режиме (используется наиболее часто при реализации усили-
тельных свойств транзистора) переход «база – эмиттер» смещен в прямом,
а переход «коллектор – эмиттер» – в обратном направлениях. В режиме
насыщения оба перехода смещены в прямом направлении и инжектируют
неосновные носители заряда в базовую область транзистора. В инверсном
режиме в прямом направлении включен переход «коллектор – эмиттер», а
переход «база – эмиттер» – в обратном. В режиме отсечки оба перехода за-
крыты.
Для того, чтобы
p
n
p
конструкция работала, как транзистор, не-
обходимо, чтобы почти все инжектированные эмиттером дырки доходили
до коллекторного перехода, то есть ширина базы
W
должна быть значи-
тельно меньше диффузионной длины дырок
p
LW  (для транзисторов
n
p
n
типа
n
LW  , где
n
L
– диффузионная длина электронов).
Одной из особенностей конструкции транзистора является то, что
сопротивление эмиттерной области выбирается во много раз меньшим, чем
базовой, то есть концентрация основных носителей заряда в эмиттере мно-
го больше концентрации основных носителей заряда в базе. В этом случае
практически весь эмиттерный ток состоит из носителей, инжектируемых
из эмиттера в базу. Очень малую долю его составляет инжекция носителей
из базы в эмиттер. Инжектированные из эмиттера в базу носители являют-
ся неосновными носителями заряда в базе. Закрытый коллекторный пере-
ход не препятствует движению через него неосновных носителей. По-
скольку коллекторный переход включен в обратном направлении, концен-
трация неосновных носителей заряда в его области будет пониженной, а в
базе будет иметь место их градиент. Инжектированные из эмиттера носи-
тели заряда дрейфуют в базе от эмиттера к коллектору. Если транзистор

Страницы