ВУЗ:
Составители:
42
ление, поэтому является прекрасным согласующим устройством, что явля-
ется ее главным достоинством.
Схема включения
Параметр
ОБ ОЭ ОК
Коэффициент передачи по току <1 (≈1) 10...1000 10..1000
Коэффициент передачи по напряжению 10...100 10...100 <1 (≈1)
Коэффициент усиления по мощности 10...100 10
3
... 10
4
10..1000
Входное сопротивление, Ом 10...100 >100 >10
4
Выходное сопротивление, Ом >100 >10 10..100
Схема с ОБ обладает усилением по напряжению, но не обладает уси-
лением по току (см. таблицу). К тому же она имеет очень маленькое вход-
ное и большое выходное сопротивление, что создает определенные труд-
ности при ее согласовании с предыдущим и последующим каскадами. К
достоинствам этой схемы можно отнести то, что при таком включении
транзистора его междуэлектродные емкости минимальные. Поэтому дан-
ная схема является наиболее высокочастотной. Другим достоинством этой
схемы является то, что переход коллектор – база, являющийся ее выходом,
имеет большее предельно допустимое напряжение, чем переход коллектор
– эмиттер, являющийся выходом у предыдущих схем. Следовательно, на
выходе этой схемы можно получить сигнал большей мощности.
3.1.3. Дифференциальные параметры биполярного транзистора
и его статические характеристики
Величины, связывающие малые приращения токов и напряжений,
что имеет место для переменной (сигнальной) составляющей токов и на-
пряжений, называют дифференциальными параметрами транзистора.
Критерием малости изменений токов и напряжений является линейность
связи между ними, следовательно, дифференциальные параметры не зави-
сят от амплитуды переменных составляющих токов и напряжений. Поэто-
му схемы включения транзистора, приведенные на рис. 2, а – в, можно
представить в виде активного линейного четырехполюсника (рис. 3).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
