Исследование полупроводниковых приборов. Зиатдинов С.И - 6 стр.

UptoLike

Рубрика: 

6
Ïðè ýòîì ð-n -ïåðåõîä ðàñøèðÿåòñÿ è ïðåâðàùàåòñÿ â îáëàñòü, ïðàê-
òè÷åñêè ëèøåííóþ ñâîáîäíûõ çàðÿäîâ.  ðåçóëüòàòå òîê â ïîëóïðîâîä-
íèêå îòñóòñòâóåò.  ýòîì ñëó÷àå ãîâîðÿò, ÷òî ð-n-ïåðåõîä çàêðûò è îáëà-
äàåò áîëüøèì ñîïðîòèâëåíèåì (îáðàòíîå ñìåùåíèå ð-n-ïåðåõîäà).
Ïðè ñìåíå ïîëÿðíîñòè èñòî÷íèêà ýëåêòðîýíåðãèè (ðèñ. 4) äûðêè è ýëåê-
òðîíû íà÷íóò âñòðå÷íî äâèãàòüñÿ, ðåêîìáèíèðóÿ â çîíå ð-n-ïåðåõîäà.
Ðèñ. 4
Òàêèì îáðàçîì, â çàìêíóòîé öåïè ïîÿâèòñÿ ïðÿìîé òîê I
ïð
, âåëè÷è-
íà êîòîðîãî çàâèñèò îò ÝÄÑ èñòî÷íèêà ýëåêòðîýíåðãèè Å (ð-n-ïåðåõîä
ñìåùåí â ïðÿìîì íàïðàâëåíèè). Íà ðèñ. 5 äàíî îáîçíà÷åíèå äèîäà íà
ýëåêòðè÷åñêèõ ïðèíöèïèàëüíûõ ñõåìàõ.
Íà ðèñ. 6 ïîêàçàíà âîëüò-àìïåðíàÿ õàðàêòåðèñòèêà äèîäà.
E
A
K
n
p
Àíîä
Êàòîä
I
ïð
Ðèñ. 5 Ðèñ. 6
Ïðè ìàëûõ çíà÷åíèÿõ Å çàâèñèìîñòü âåëè÷èíû òîêà I
ïð
îò Å íîñèò
íåëèíåéíûé õàðàêòåð.
 ëàáîðàòîðíîé ðàáîòå òåîðåòè÷åñêè èçó÷àåòñÿ óñòðîéñòâî è ðà-
áîòà ïîëóïðîâîäíèêîâîãî äèîäà, à òàêæå íà ýêñïåðèìåíòàëüíîé óñòà-
Àíîä Êàòîä
I
ïð