Исследование полупроводниковых приборов. Зиатдинов С.И - 8 стр.

UptoLike

Рубрика: 

8
5. Ñâîéñòâà p-n-ïåðåõîäà ïðè îáðàòíîì ñìåùåíèè.
6. Ñâîéñòâà p-n-ïåðåõîäà ïðè ïðÿìîì ñìåùåíèè.
7. Ïîíÿòèå äèôôóçèîííîé è áàðüåðíîé åìêîñòåé äèîäà.
8. Êîíñòðóêöèÿ ïîëóïðîâîäíèêîâîãî äèîäà.
9. Îáúÿñíèòü ôîðìó âîëüò-àìïåðíîé õàðàêòåðèñòèêè äèîäà.
10. Âëèÿíèå òåìïåðàòóðû íà ïðÿìîé è îáðàòíûé òîêè äèîäà.
ËÀÁÎÐÀÒÎÐÍÀß ÐÀÁÎÒÀ ¹ 2
ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈÅ ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂÎÃÎ ÁÈÏÎËßÐÍÎÃÎ
ÒÐÀÍÇÈÑÒÎÐÀ
Öåëü ðàáîòû: èçó÷åíèå è ïðàêòè÷åñêîå èññëåäîâàíèå ðàáîòû è õà-
ðàêòåðèñòèê ïîëóïðîâîäíèêîâîãî áèïîëÿðíîãî òðàíçèñòîðà.
1. ÎÁÙÈÅ ÑÂÅÄÅÍÈß Î ÏÎËÓÏÐÎÄÍÈÊÎÂÛÕ ÒÐÀÍÇÈÑÒÎÐÀÕ
Áèïîëÿðíûå òðàíçèñòîðû ñîçäàþòñÿ ïóòåì ñîåäèíåíèÿ òðåõ ïîëó-
ïðîâîäíèêîâ ðàçëè÷íîé ïðîâîäèìîñòè (ðèñ. 1, 2).
1111
Ý
p-n-p
p
Á
Ê
n
Ý
n-p-n
n
Á
p
Ê
Ðèñ. 1 Ðèñ. 2
Ïîâåðõíîñòè ïîëóïðîâîäíèêîâ ìåòàëëèçèðóþòñÿ, è ê íèì ïðèïàè-
âàþòñÿ âûâîäû. Ïðè ýòîì îáðàçóþòñÿ òðè ýëåêòðîäà (âûâîäà): Ý ýìèò-
òåð, Ááàçà, Êêîëëåêòîð.
Íà ðèñ. 1 ïîêàçàí ïîëóïðîâîäíèêîâûé áèïîëÿðíûé òðàíçèñòîð òèïà
ð-n-ð, à íà ðèñ. 2  òðàíçèñòîð òèïà n-p-n.
Íà ðèñ. 3 è 4 ïðèâåäåíû ñõåìû ïîäêëþ÷åíèÿ âíåøíèõ èñòî÷íèêîâ
ýëåêòðîýíåðãèè ê òðàíçèñòîðàì ðàçëè÷íîé ïðîâîäèìîñòè.
Èñòî÷íèê ýëåêòðîýíåðãèè Å
Á
ñîçäàåò íàïðÿæåíèå ìåæäó áàçîé è ýìèò-
òåðîì, èñòî÷íèê Å
Ê
ñîçäàåò íàïðÿæåíèå ìåæäó êîëëåêòîðîì è ýìèò-
òåðîì.