Составители:
Рубрика:
20
3.3. С помощью эталонной сетки в окуляре микроскопа произвести
измерение геометрических размеров всех подложек, резисторов и
конденсаторов.
3.4. На основании проведенных измерений, воспользовавшись заданными
величинами R и С
о
, вычислить номиналы резисторов и конденсаторов.
3.5. Определить тип ИМС и нарисовать ее принципиальную
электрическую схему.
3.6. Вычислить коэффициенты по формулам (23),(24), (25), и (26).
3.7. Установить тип корпуса микросхемы, содержащей бескорпусные
полупроводниковые приборы.
Для выполнения работы используются микроскоп МСБ-10 и набор ГИМС
в корпусах и со снятыми крышками корпуса.
4. Содержание отчета
4.1. Описание конструкции и электрических параметров пленочных
элементов и навесных компонентов всех исследованных ГИМС.
4.2. Эскизы общей топологии системы пленок, нанесенных на каждую
подложку в масштабе 20: 1.
4.3. Эскизы топологии всех напыленных слоев (масштаб 20:1).
4.4. Расчет номиналов каждого резистора и каждого конденсатора.
4.5. Расчеты коэффициентов по формулам (23), (24), (25), (26).
4.6.Описание конструкции и указание типа рассматриваемого
защитного корпуса ГИМС.
4.7. Принципиальная электрическая схема ГИМС.
4.8. Эскиз защитного корпуса с подложкой микросхемы с обозначением
номеров выводов, выполненный в масштабе 20: 1 (вид со стороны снятой
крышки).
4.9. Краткие выводы по работе.
Литература: [I], с. 42 ... 50, 113 ... 117.
