Составители:
Рубрика:
19
- число пленочных проводников; S
П
- площадь i-го пленочного проводника, мм
2
;
n, m, k, l - соответственно число пленочных резисторов, конденсаторов,
индуктивностей и навесных элементов в микросхеме.
Частные коэффициенты заполнения площади подложки пленочными
резисторами Ks
R
, конденсаторами Ks
C
, индуктивностями Ks
L
, навесными
активными элементами Ks
A
, пленочными проводниками и контактными
площадками Ks
Пк
рассчитываются по формулам
S
S
K
n
R
S
i
R
∑
=
1
;
S
S
K
m
C
S
i
C
∑
=
1
;
S
S
K
k
L
S
i
L
∑
=
1
; (24)
S
S
K
l
A
S
i
A
∑
=
1
;
S
NSS
K
f
кП
S
i
Пк
∑
+
=
1
.
Важными компоновочными параметрами являются количество
пленочных, приходящихся на единицу площади подложки
S
lkmn
F
+++
=
, (25)
и количество навесных активных элементов, приходящихся на единицу
площади подложки
SlF
A
/
=
, (26)
3. Методика выполнения работы
3.1. Изучить конструкцию и топологию элементов ГИМС, которые
исследуются.
3.2. Вычертить на миллиметровой бумаге эскиз общей топологии каждой
рассматриваемой микросхемы (масштаб 20 : 1).
