Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

18
саторов, контакты резисторов, коммутационные соединения), диэлектрическую
и вторую проводящую (верхние обкладки конденсаторов).
Для защиты пленочных элементов от воздействия окружающей среды в
процессе изготовления микросхемы часто напыляют дополнительный слой,
представляющий собой пленку диэлектрика, которая покрывает все элементы
микросхемы за исключением контактных площадок, предназначенных для
установки навесных микродеталей и присоединения выводов от корпуса
микросхемы.
Аналогично резисторам материал и толщина слоев тонкопленочных
конденсаторов в одной микросхеме, как правило, одинаковы. Поэтому отличие
конденсаторов друг от друга по емкости обусловлено только размерами
верхних обкладок
0
СSС
В
⋅
=
;
dС /0885,0
0
ε
⋅
=
,
где С - емкость конденсатора, пФ; S
в
- площадь верхней обкладки, мм
2
; С
о
-
удельная емкость конденсатора в микросхеме, пФ/мм
2
; ε - диэлектрическая
проницаемость пленки диэлектрика; d - толщина пленки диэлектрика, мм.
Одной из важнейших характеристик ГИМС является коэффициент
заполнения подложки по площади. Он определяется как отношение рабочей
площади элементов к общей площади подложки:
S
SSNSSSS
К
f
ПK
l
A
k
L
m
C
n
R
S
iiiii
∑∑∑∑∑
+⋅++++
=
11111
, (23)
где K
S
- коэффициент заполнения подложки по площади;
S
Ri
-
площадь
резистивного i-го элемента, мм
2
; S
Ci
- площадь емкостного i-го элемента, мм
2
;
S - рабочая площадь подложки, мм
2
; S
L
I
- площадь индуктивного i-го элемента;
мм
2
; S
Ai
- площадь поверхности, соприкасающейся с подложкой навесного i-гo
активного элемента, мм
2
; N - число контактных площадок для присоединения
выводов корпуса и навесных микроэлементов; S
к
- площадь одной контактной
площадки (представляет квадрат с размером стороны не менее 500 мкм); мм
2
; f

Страницы