Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 16 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Работа 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И ТОПОЛОГИИ

ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБРИДНЫХ ИМС

1. Цель работы

Изучение конструкции, характеристик элементов и компоновочных

характеристик тонкопленочных гибридных ИМС (ГИМС).

2. Основные теоретические положения

Основными элементами ГИМС являются: изоляционная подложка, на

которую напыляются пассивные пленочные элементы (резисторы,

конденсаторы, коммутационные соединения и т. д.), навесные

полупроводниковые кристаллы, выполняющие функции активных элементов

(диоды, транзисторы, диодные сборки и т. д.), которые устанавливаются на под-

ложке, и герметичный корпус, обеспечивающий защиту элементов микросхемы

от воздействия окружающей среды. Подложки, как правило, выполнены из

стекла марок С48-1, С48-3 или ситалла марки СТ 50-1, так как указанные мате-

риалы обладают высокими электрофизическими характеристиками.

Тонкопленочные элементы ГИМС изготавливаются путем вакуумного

напыления через систему сменных трафаретов. Например, для получения

пленочного резистора необходимо вначале через один трафарет напылить

резистивный слой, затем через другой - металлический слой с высокой электро-

проводностью, который является выводами резистора и одновременно служит

коммутационными соединениями в микросхеме.

Отличительной особенностью современных технологических процессов

изготовления интегральных микросхем являются групповые методы

производства, которые предусматривают выполнение за одну технологическую

операцию однотипных элементов микросхемы. Поэтому на одну подложку ми-