Составители:
Рубрика:
14
где S - площадь рабочей поверхности подложки, мм
2
; S
pi
- площадь i-го
диффузионного резистора, мм
2
; S
Тi
- площадь i-го транзистора, мм
2
; S
Дi
-
площадь i-го диода, мм
2
; S
кП
- площадь, занимаемая выводной контактной
площадкой, предназначенной для присоединения навесного проволочного вы-
вода, мм
2
, S
кi
– площадь, занимаемая i-м конденсатором, мм
2
; п - число
выводных контактных площадок; S
Пi
- площадь i-го проводника, мм
2
; l, т, k, r, f
-соответственно число резисторов, транзисторов, диодов, конденсаторов и про-
водников.
Коэффициенты заполнения площади подложки диффузионными
резисторами Ks
p
, транзисторами Ks
r
, конденсаторами Ks
к
, диодами Ks
Д
и
пленочными проводниками совместно с контактными площадками Ks
П
определяются как
S
S
К
l
i
pi
S
P
∑
=
=
1
;
S
S
К
т
i
Ti
S
T
∑
=
=
1
;
S
S
K
r
i
кi
S
к
∑
=
=
1
; (20)
S
S
К
k
i
Дi
S
Д
∑
=
=
1
;
S
nSS
K
f
i
кППi
S
кП
∑
=
+
=
1
.
Плотность компоновки элементов на уровне кристалла
П
П
V
rKml
D
+
+
+
=
(21)
и на уровне корпуса
к
к
V
rKml
D
+
+
+
=
, (22)
где V
П
- объем полупроводникового кристалла (толщину кристалла следует
принимать 0,25 мм), мм
3
; V
к
- объем корпуса микросхемы (для корпуса 101 С1-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
