Составители:
Рубрика:
12
Рис.2. Структура эпитаксиально-планарного транзистора ПИМС
со скрытым n
+
слоем
Интегральный биполярный транзистор является важнейшим элементом
большинства ПИМС, так как определяет конструкцию, расположение и
технологию изготовления остальных элементов. В составе схемы, кроме
транзисторов, могут быть диоды, резисторы, конденсаторы. В качестве диодов
используются транзисторы в диодном включении, это экономически выгодно и
технологически удобно. Резисторы используются двух типов - в эмиттерном и
базовом слоях. Как правило, диффузионный резистор создается одновременно с
эмиттером или базой транзистора.
Сопротивление квадрата такого резистора составляет величину порядка
200...300 Ом (R
ڤ
=200... 300 Ом). В современных ПИМС наиболее широко
используются диффузионные резисторы в виде прямоугольной полоски и в
форме гантели с квадратными концами, в которых сформированы выводы
резистора. Конструкция выводов резисторов представляет собой две
низкоомные квадратные диффузионные области, сильно легированные
примесью одного знака с диффузионным резистивным слоем, которые
располагаются с обоих его концов.
Выполнение для выводов специальной дополнительной диффузии
необходимо, чтобы получить омические невыпрямляющие контакты с
коммутационными алюминиевыми проводниками, напыляемыми вакуумным
методом на поверхность полупроводникового кристалла.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »