Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 12 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис.2. Структура эпитаксиально-планарного транзистора ПИМС

со скрытым n

слоем

Интегральный биполярный транзистор является важнейшим элементом

большинства ПИМС, так как определяет конструкцию, расположение и

технологию изготовления остальных элементов. В составе схемы, кроме

транзисторов, могут быть диоды, резисторы, конденсаторы. В качестве диодов

используются транзисторы в диодном включении, это экономически выгодно и

технологически удобно. Резисторы используются двух типов - в эмиттерном и

базовом слоях. Как правило, диффузионный резистор создается одновременно с

эмиттером или базой транзистора.

Сопротивление квадрата такого резистора составляет величину порядка

200...300 Ом (R

=200... 300 Ом). В современных ПИМС наиболее широко

используются диффузионные резисторы в виде прямоугольной полоски и в

форме гантели с квадратными концами, в которых сформированы выводы

резистора. Конструкция выводов резисторов представляет собой две

низкоомные квадратные диффузионные области, сильно легированные

примесью одного знака с диффузионным резистивным слоем, которые

располагаются с обоих его концов.

Выполнение для выводов специальной дополнительной диффузии

необходимо, чтобы получить омические невыпрямляющие контакты с

коммутационными алюминиевыми проводниками, напыляемыми вакуумным

методом на поверхность полупроводникового кристалла.