Составители:
Рубрика:
11
Работа 2. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И ТОПОЛОГИИ
АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС
1. Цель работы
Изучение конструкции, топологии и электрических параметров
полупроводниковых интегральных микросхем (ПИМС), изготовленных на
основе биполярных транзисторов.
2. Основные теоретические положения
ПИМС называется схема, элементы которой выполнены в объеме и на
поверхности полупроводникового кристалла. Для конструкции ПИМС широко
используются подложки из кремния, поскольку они позволяют изготавливать
элементы с высокими электрическими параметрами достаточно простыми
технологическими методами. Конструкция ПИМС определяется технологией ее
изготовления. В настоящее время подавляющее большинство ПИМС
выполняется по планарной технологии. Основу этой технологии составляют
процессы окисления кремниевых заготовок, литографические процессы на
окисленном слое, процессы эпитаксиального наращивания моно- и
поликристаллических пленок кремния, а также локальная диффузия или ионная
имплантация легирующих примесей в полупроводниковую подложку.
На рис.2 показана структура эпитаксиально-планарного транзистора
ПИМС со скрытым n
+
слоем.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
