Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 10 стр.

UptoLike

10
д) По полученным данным построить графики зависимостей I
к
= f(U
бэ
) и
I
б
= f(U
б.э
).
По приведенным выше формулам произвести расчеты:
β
- коэффициента усиления базового тока, коэффициентов инжекции γ и
переноса χ, значения максимальных обратных напряжений U
кб
, U
эб
, величины
барьерных емкостей С
кб
, С
эб
, определить время рассасывания заряда
неосновных носителей t
p
и предельную частоту f
Т
.
Данные записать в таблицу по форме 2.
Форма 2
β
U
кб
, В U
эб
, В С
кб
, Ф С
эб
, Ф t
р
, с f
т
, Гц
2. Содержание отчета
4.1. Цель и содержание работы.
4.2. Схема измерений.
4.3. Графики I
б
= f(U
бэ
) и I
к
=f(U
бэ
).
4.4. Таблицы результатов измерений и расчетов.
4.5. Краткие выводы по работе.
Литература: 3, с.65 ... 70; ☯, с.65 ... 70