Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

9
1...2. В случае канальной проводимости m<4. При наличии широких каналов
m>4. Функциональной характеристикой метода m - параметра для
полупроводниковых приборов является вольт-амперная характеристика (ВАХ),
крутизна которой в любой точке определяется воздействующими факторами
(нагрузкой) и поверхностными дефектами, т. е. информативный параметр m
характеризует крутизну функциональной характеристики.
3. Методика выполнения лабораторной работы
В работе используется интегральная микросхема переключателя 101КТ1.
Экспериментальный макет для снятия статических характеристик
интегрального БТ собран по схеме, приведенной на рис.1. В макете
предусмотрены два встроенных источника питания, в каждом из которых для
регулировки напряжения есть потенциометры для грубой и точной настройки.
Рис. 1. Схема для снятия статических характеристик БТ
3.1. Порядок выполнения работы
а) Потенциометром R
2
установить напряжение U
кэ
= 5 Вменьше
максимально допустимого по ТУ.
б) Потенциометром R
1
установить U
бэ
= 0,6 В, при этом измерить I
б
и I
к
.
в) Увеличивая U
бэ
через 0,02 В, провести измерение токов I
б
и I
к
до I
к
=
100 мА.
г) Результаты измерений записать в таблицу по форме 1.
Форма 1
U
б.э,
В
I
к
,μА I
б
,μА ln(I
б2
/I
б1
)
m
α = I
к
/I
э
α = γ ·χ
1 2 3 4 5 6 7

Страницы