Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

13
Величина сопротивления рассматриваемых диффузионных резисторов
вычисляется по формуле
R = R
□
(l/b + 2K),
где R - сопротивление резистора, Ом; R
ڤ
- сопротивление квадрата резистивной
области, Ом; l - длина диффузионной резистивной области (для
прямоугольного резистора l - расстояние между диффузионными областями
выводных контактов, для резисторов в форме гантели l - расстояние между
квадратными концами гантели); мм; b - ширина диффузионной резистивной
области, определяющей номинал резистора; мм; К - коэффициент,
учитывающий дополнительное сопротивление резистора, обусловленное
конструкцией выводов (для прямоугольного резистора K = 0,07; для резистора в
форме гантели K = 0,65).
Полупроводниковые конденсаторы в полупроводниковых схемах
образуются р-n-переходами. Величина емкости такого конденсатора зависит от
типа электропроводности полупроводникового материала, площади перехода,
характера распределения концентрации примеси, а также от полярности и
величины смещения. Эти конденсаторы создаются одновременно с
диффузионными областями транзистора.
Другим типом конденсаторов являются диффузионные МОП-
конденсаторы, обладающие лучшими характеристиками. Они создаются
непосредственно на полупроводниковой пластине с использованием в качестве
диэлектрика слоя диоксида кремния. Электродами служат диффузионный слой
или подложка с малым удельным сопротивлением и тонкая пленка алюминия.
К числу параметров, характеризующих компоновку ПИМС, в первую
очередь, относится коэффициент заполнения рабочей поверхности
полупроводниковой подложки Ks
S
nSSSSSS
K
l
i
т
i
k
i
r
i
f
i
кППiкiДiTipi
S
∑∑∑∑∑
=====
+++++
=
111 11
, (19)

Страницы