Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 4 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Библиографический список

1. Аваев Н.А., Наумов Ю,Е, Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники:

Учеб. пособие. -М.: Радио и связь, 1991.

2. Ефимов И.Е. Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника:

Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие. - М.:

Высш. школа, 1986.

3. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника:

Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: Учеб.

пособие. - М.: Высш. школа, 1987.

4. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.К. Конструирование и расчет микросхем

и микропроцессоров.- М.: Радио и связь, 1986.

Работа 1. ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ИНТЕГРАЛЬНОГО

БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В МИКРОРЕЖИМЕ И

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЕГО ПАРАМЕТРОВ

1. Цель работы

Изучение особенностей работы интегрального биполярного транзистора

(БТ) в микрорежиме в микросхеме 101КТ1 и определение его основных

параметров.

2. Основные теоретические положения

В основе работы биполярных транзисторов лежит инжекция неосновных

носителей, которая сопровождается компенсацией их заряда основными

носителями.

В обычных транзисторных схемах выходной (управляемой) величиной

является либо коллекторный, либо эмиттерный ток, а входной (управляющей) -

ток базы либо ток эмиттера. Связь между выходными и входными токами