Составители:
Рубрика:
6
рэ
L - диффузионная длина дырок в эмиттере; - коэффициент диффузии
электронов в базе.
nб
D
В формуле (6)
б
W
– ширина базовой области, равная разности глубин
залегания коллекторного (
h
к
) и эмиттерного (h
э
) p-n-переходов:
;
кэб
hh
W
−
=
L
nб
– диффузионная длина электронов в базе; N
Дэ
(h
э
)
– концентрация донорной
примеси у эмиттерного перехода; N
Дк
- концентрация донорной примеси у
коллекторного перехода. (Обычно h
к
= 1…3 мкм, h
э
= 0,5...2,5 мкм, N
Дэ
(h
э
) =
10
17
…10
18
см
-3
, N
Дк
= 5
.
10
15
... 1
.
10
17
см
-3
).
Диффузионные длины акцепторов и доноров определяются
соотношениями
(
)
;ln/
Дк
эДэ
бa
N
hN
WL =
(7)
)(
)0(
ln/
эДэ
Дэ
эД
hN
N
hL =
, (8)
где N
Дэ
(0) - концентрация донорной примеси в эмиттерной области на
поверхности (обычно N
Дэ
(0) = 2
.
10
20
... 1
.
10
21
см
-3
). (Данные величины меняются
в пределах L
пб
, L
pэ
= 2...50 мкм). Значения коэффициента диффузии дырок в
эмиттере, D
pэ
составляют 12,0...31,1 см
2
/с, коэффициента диффузии электронов
в базе, D
nб
34...35 см
2
/с.
Коэффициент инжекции
γ
тем ближе к 1, чем меньше ширина базы и чем
больше разница между граничными концентрациями примесей в эмиттерных и
базовых слоях. Типичными для БТ являются значения γ = 0,08... 0,997.
Коэффициент переноса тем ближе к 1, чем больше диффузионная длина и
чем меньше ширина базы. С увеличением диффузионной длины ухудшаются
частотные свойства транзисторов, поэтому одной из основных задач
усовершенствования биполярных транзисторов является уменьшение ширины
χ
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
