Интегральные устройства радиоэлектроники. Ч.1. Абрамов Е.Е - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

5
характеризуется коэффициентами усиления.
Связь между коллекторным и эмиттерным токами можно
записать как
к
I
э
I
, (1)
где
α
- коэффициент усиления эмиттерного тока. У интегральных
транзисторов он обычно составляет 0,99 ... 0,995. Коэффициент усиления
базового тока
эк
II
⋅
α
=
бк
II /=
β
(2)
или
)1/(
α
−
α=β
. (3)
Типичные значения параметра
β
лежат в пределах 100... 150. Он тем
больше, чем ближе коэффициент
α
к единице. С другой стороны,
⋅
γ
=α
(4)
где
γ
- коэффициент инжекции, характеризующий долю полезной электронной
составляющей в общем токе эмиттера (для транзистора типа п-p-n);
-
коэффициент переноса, характеризующий роль инжектированных носителей,
избежавших рекомбинации на пути к коллектору.
Коэффициенты
γ
и χ рассчитываются по формулам
;1
2
nбрэ
рэДa
DL
DLL
−=γ
(5)
()
(
)()
.ln1
2
DкэDэnбб
NhNLW−=χ
(6)
В соотношении (5) и
а
L
Д
L
- диффузионные длины акцепторов и
доноров соответственно; - коэффициент диффузии дырок в эмиттере;
рэ
D

Страницы