Исследование свойств полупроводников методом эффекта Холла. Абрамов В.Б - 2 стр.

UptoLike

УДК 621. 315.416
Абрамов В.Б., Аверин И.А., Карпанин О.В., Медведев С.П., Метальников
А.М, Печерская Р.М. Исследование свойств полупроводников методом эффек-
та Холла.
Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и предназначены для
студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисцип-
линМатериалы электронной техники и основы микроэлектроники”, “Материалы
в приборостроении”, “Радиоматериалы
и радиодетали”, при выполнении УИРС,
курсового и дипломного проектирования.
© Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного университета
4. Рассчитать значения )ln(n и
T
1
.
5. Температурная зависимость сопротивления исследуемого образца
определяется по закону Ома (уравнение 12).
6. Рассчитать температурные зависимости удельного сопротивления и элек-
тропроводности исследуемого образца соответственно по уравнениям (13) и (14)
7. Рассчитать значения
)ln(
σ
.
8. Рассчитать подвижности свободных носителей заряда по уравнению (10).
9. Рассчитать значения
)ln(
μ
.
10. Построить график температурной зависимости концентрации свободных
носителей заряда в координатах:
=
T
fn
1
)ln( .
11.
Построить график температурной зависимости постоянной Холла.
12.
20. Построить график температурной зависимости подвижности носите-
лей заряда μ.
13.
Аналогичным образом построить график температурной зависимости
электропроводности исследуемых образцов в координатах:
)(Tf=σ и
=σ
T
f
1
)ln(
.
14.
Путем графического дифференцирования зависимостей
=
T
fn
1
)ln(
и
=σ
T
f
1
)ln(
определить энергию ширины запрещенной зоны полупроводника,
используя следующее уравнение
15.
α= tg2kE
g
,
где
kпостоянная Больцмана.
Контрольные вопросы
1. В чем сущность эффекта Холла?
2.
Какой физический смысл имеет постоянная Холла?
3.
Какие электрофизические свойства полупроводников можно исследовать
с помощью эффекта Холла?
4.
Почему под действием силы Лоренца электроны и дырки отклоняются в
одну сторону?
5.
Какие физические процессы определяют величину подвижности носите-
лей заряда в полупроводниках?
6.
Как объяснить природу возникновения дополнительной ЭДС, возникаю-
щей при исследовании эффекта Холла?
7.
Как определить доминирующий механизм рассеяния носителей заряда?
8.
В чем сущность эффекта Холла в полупроводниках со смешанным типом
приводимости?
35
                                                                                                                    1
                                                                                   4. Рассчитать значения ln(n) и     .
                                                                                                                    T
                                                                                    5. Температурная зависимость сопротивления исследуемого образца
   УДК 621. 315.416                                                            определяется по закону Ома (уравнение 12).
                                                                                    6. Рассчитать температурные зависимости удельного сопротивления и элек-
                                                                               тропроводности исследуемого образца соответственно по уравнениям (13) и (14)
                                                                                    7. Рассчитать значения ln(σ) .
                                                                                    8. Рассчитать подвижности свободных носителей заряда по уравнению (10).
                                                                                    9. Рассчитать значения ln(μ) .
    Абрамов В.Б., Аверин И.А., Карпанин О.В., Медведев С.П., Метальников
А.М, Печерская Р.М. Исследование свойств полупроводников методом эффек-             10. Построить график температурной зависимости концентрации свободных
та Холла.                                                                                                                ⎛1⎞
                                                                               носителей заряда в координатах: ln(n) = f ⎜ ⎟ .
    Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и предназначены для                                                ⎝T ⎠
студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисцип-        11. Построить график температурной зависимости постоянной Холла.
лин “Материалы электронной техники и основы микроэлектроники”, “Материалы           12. 20. Построить график температурной зависимости подвижности носите-
в приборостроении”, “Радиоматериалы и радиодетали”, при выполнении УИРС,       лей заряда μ.
курсового и дипломного проектирования.                                              13. Аналогичным образом построить график температурной зависимости
                                                                               электропроводности исследуемых образцов в координатах: σ = f (T ) и
                                                                                         ⎛1⎞
                                                                               ln(σ) = f ⎜ ⎟ .
                                                                                         ⎝T ⎠
                                                                                                                                                   ⎛1⎞
                                                                                   14. Путем графического дифференцирования зависимостей ln(n) = f ⎜ ⎟ и
                                                                                                                                                   ⎝T ⎠
                                                                                         ⎛1⎞
                                                                               ln(σ) = f ⎜ ⎟ определить энергию ширины запрещенной зоны полупроводника,
                                                                                         ⎝T ⎠
                                                                               используя следующее уравнение
                                                                                    15. E g = 2k tg α ,
                                                                                       где k – постоянная Больцмана.

                                                                                                          Контрольные вопросы
                                                                                    1. В чем сущность эффекта Холла?
                                                                                    2. Какой физический смысл имеет постоянная Холла?
                                                                                    3. Какие электрофизические свойства полупроводников можно исследовать
                                                                               с помощью эффекта Холла?
    © Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного университета            4. Почему под действием силы Лоренца электроны и дырки отклоняются в
                                                                               одну сторону?
                                                                                    5. Какие физические процессы определяют величину подвижности носите-
                                                                               лей заряда в полупроводниках?
                                                                                    6. Как объяснить природу возникновения дополнительной ЭДС, возникаю-
                                                                               щей при исследовании эффекта Холла?
                                                                                    7. Как определить доминирующий механизм рассеяния носителей заряда?
                                                                                    8. В чем сущность эффекта Холла в полупроводниках со смешанным типом
                                                                               приводимости?

                                                                                                                                                       35