Проектирование и конструирование полупроводниковых интегральных микросхем. Абрамов В.Б. - 4 стр.

                                                                            РПД МЭ СД.03 2005
       Контроль
текущий на занятиях
защита курсового проекта с оценкой9 сем.
зачет –9 сем.
сдача экзамена 9 сем.
       4 Цель и задачи дисциплины
       4.1 Основная цель преподавания дисциплины «Проектирование и конструирование
полупроводниковых интегральных микросхем» – изучение студентами методов расчета и
конструирования полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС).
       4.2 В результате изучения дисциплины студент должен:
               4.2.1. знать и уметь использовать:
        - современные методы расчета и конструирования полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем (ИМС) для решения проектных, конструкторских и
исследовательских задач;
               - находить рациональные варианты конструкции полупроводниковых
       приборов и интегральных микросхем.
               4.2.2. Владеть:
               - практическими навыками, приемами, средствами решения инженерных задач
       при создании полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС);
               - основами эффективного использования средств вычислительной техники при
       проведении проектно - конструкторских работ;
               - методами расчета проектирования интегральных микросхем.
       5 Место дисциплины в учебном процессе
       Дисциплина относится к циклу специальных дисциплин обеспечивающих
конструкторскую подготовку.
       Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:
         - материалы и элементы электронной техники;
         - технология материалов электронной техники;
         - микросхемотехника;
         - твердотельная электроника;
         - микроэлектроника;


       6 Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределении часов
 по видам занятий
Наименование раздела                   Количество часов занятий

                                       Аудиторных

                                       Лекцион-     Практи-       Лабора-      Самостоя-   Уровни
                                       ных          ческих        торных       тельных     изучения

Введение                               1 час

Методы изоляции элементов ИС           4 часа                     2 часа       17 часов

Расчет элементов и структур            8 часов                    8 часов      34 часа
полупроводниковых приборов и ИМС

Расчет структур МДП- ИМС               6 часов                    8 часов      34 часа

Проектирование полупроводниковых ИМС   8 часов                    8 часов      34 часа

Проектирование ГИС                     6 часа                     8 часов      17 часов

Заключительное занятие                 1 час