ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
РПД МЭ СД.03 2005
7.1.6 Проектирование ГИС (6 часов)
Конструкции элементов гибридных интегральных схем. Этапы проектирования ГИС.
Расчет пленочных резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности. Функциональный и
интегрально-групповой принципы компоновки гибридных интегральных схем (ГИС).
Методы подгонки резисторов ГИС. Паразитные связи и помехи в ГИС. Конструктивно-
технологические требования и ограничения на ГИС.
7.1.7 Заключительное занятие (1 час)
7.2 Форма проведения занятий
Аудиторная, самостоятельная работа и консультации.
8 Практические занятия ( не предусмотрены)
9 Лабораторные занятия (34 часа)
9.1 Основные темы:
Расчет профиля распределения примеси в полупроводнике из ограниченного
источника (2 часа).
Расчет профиля распределения примеси в полупроводнике из неограниченного
источника (2 часа).
Расчет высоты потенциального барьера и контактной разности потенциалов на
электронно-дырочном переходе (2 час.).
Расчет области объемного заряда, барьерной емкости, пробивных напряжений
электронно-дырочного перехода (2 час.).
Расчет токов через p-n- переход, связанных с инжекцией и экстракцией носителей
заряда (2 час.).
Расчет топологии транзисторной структуры. (2 час.).
Расчет топологии МДП-транзисторов. (2 час.).
Расчет топологии пассивных элементов полупроводниковых ИС. (2 час.).
Расчет топологии пассивных элементов гибридных интегральных схем. (2 час.)
Примеры оформления сборочных чертежей полупроводниковых ИС. (4 часа).
Примеры оформления сборочных чертежей гибридных ИС. (4 часа).
Примеры оформления послойных чертежей полупроводниковых ИС. (4 часа).
Примеры оформления послойных чертежей гибридных ИС. (4 часа).
9.2 Форма проведения занятий
Аудиторные, самостоятельная работа и консультации.
10 Семинарские занятия ( не предусмотрены ).
11 Курсовой проект.
Задачей курсового проектирования является приобретение практических навыков
разработки конструкций полупроводниковых приборов, полупроводниковых ИС.
11.1 Перечень рекомендуемых тем:
Тематика курсового проектирования: разработка топологии и конструкции ИС Расчет
и анализ их основных характеристик аналитическими методами и с помощью ЭВМ.
Объектом проектирования являются наиболее распространенные типы цифровых
(преобразователи кодов, сумматоры, регистры, счетчики, генераторы кодов и д.Р.) или
аналоговых (усилители, аналоговые компараторы и перемножители, радиотехнические
схемы и д.р.) устройств. Рекомендуемая степень интеграции - до 100-200 элементов.
РПД МЭ СД.03 2005
7.1.6 Проектирование ГИС (6 часов)
Конструкции элементов гибридных интегральных схем. Этапы проектирования ГИС.
Расчет пленочных резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности. Функциональный и
интегрально-групповой принципы компоновки гибридных интегральных схем (ГИС).
Методы подгонки резисторов ГИС. Паразитные связи и помехи в ГИС. Конструктивно-
технологические требования и ограничения на ГИС.
7.1.7 Заключительное занятие (1 час)
7.2 Форма проведения занятий
Аудиторная, самостоятельная работа и консультации.
8 Практические занятия ( не предусмотрены)
9 Лабораторные занятия (34 часа)
9.1 Основные темы:
Расчет профиля распределения примеси в полупроводнике из ограниченного
источника (2 часа).
Расчет профиля распределения примеси в полупроводнике из неограниченного
источника (2 часа).
Расчет высоты потенциального барьера и контактной разности потенциалов на
электронно-дырочном переходе (2 час.).
Расчет области объемного заряда, барьерной емкости, пробивных напряжений
электронно-дырочного перехода (2 час.).
Расчет токов через p-n- переход, связанных с инжекцией и экстракцией носителей
заряда (2 час.).
Расчет топологии транзисторной структуры. (2 час.).
Расчет топологии МДП-транзисторов. (2 час.).
Расчет топологии пассивных элементов полупроводниковых ИС. (2 час.).
Расчет топологии пассивных элементов гибридных интегральных схем. (2 час.)
Примеры оформления сборочных чертежей полупроводниковых ИС. (4 часа).
Примеры оформления сборочных чертежей гибридных ИС. (4 часа).
Примеры оформления послойных чертежей полупроводниковых ИС. (4 часа).
Примеры оформления послойных чертежей гибридных ИС. (4 часа).
9.2 Форма проведения занятий
Аудиторные, самостоятельная работа и консультации.
10 Семинарские занятия ( не предусмотрены ).
11 Курсовой проект.
Задачей курсового проектирования является приобретение практических навыков
разработки конструкций полупроводниковых приборов, полупроводниковых ИС.
11.1 Перечень рекомендуемых тем:
Тематика курсового проектирования: разработка топологии и конструкции ИС Расчет
и анализ их основных характеристик аналитическими методами и с помощью ЭВМ.
Объектом проектирования являются наиболее распространенные типы цифровых
(преобразователи кодов, сумматоры, регистры, счетчики, генераторы кодов и д.Р.) или
аналоговых (усилители, аналоговые компараторы и перемножители, радиотехнические
схемы и д.р.) устройств. Рекомендуемая степень интеграции - до 100-200 элементов.
