Проектирование и конструирование полупроводниковых интегральных микросхем. Абрамов В.Б. - 5 стр.

                                                              РПД МЭ СД.03 2005
      7 Лекции
      7.1 Разделы и их содержание
      7.1.1 Введение (1 час)
      Предмет дисциплины и её задачи. . Классификация полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем по функциональным, структурным и конструктивно-
технологическим признакам.
      7.1.2 Методы изоляции элементов ИС (4 часа)
      Элементы полупроводниковых ИС. Методы изоляции элементов и их
конструктивные особенности. Пути снижения минимальных размеров элементов.
      7.1.3 Расчет элементов и структур полупроводниковых приборов и ИМС (8
часов)

       Конструктивно-технологические особенности и исходные данные для расчета. Расчет
и построение профилей распределения примеси в полупроводниковых структурах. Расчет
токов через p-n- переход, связанных с инжекцией и экстракцией носителей заряда.
Особенности топологии диодов полупроводниковых ИМС Расчет постоянных
составляющих токов эмиттера и коллектора. Расчет основных статических параметров
транзистора. Особенности расчета структур планарных транзисторов. Конструктивный
расчет топологии транзистора. Конструкции полупроводниковых резисторов. Расчет
объемного и поверхностного удельного сопротивления. Расчет параметров резисторов.
Температурный коэффициент сопротивления. Частотный диапазон полупроводниковых
резисторов. Конструкции полупроводниковых конденсаторов. Эквивалентные схемы.
Расчет полупроводниковых конденсаторов.
      7.1.4 Расчет структур МДП-ИМС (6 часов)

      Схемотехнические и конструктивно-технологические особенности униполярных
транзисторов. Расчет крутой и пологой частей статических характеристик полевых
транзисторов с управляющим p-n- переходом и с изолированным затвором (МДП-
транзисторов). Расчет малосигнальных параметров полевых транзисторов. Расчет крутизны
характеристики МДП-транзистора. Расчет сопротивления канала в открытом состоянии
транзистора и активной составляющей выходной проводимости. Расчет емкостей полевого
транзистора и его частотные свойства. Конструктивный расчет топологии транзистора.
Паразитные МДП-структуры и конструирование охранных колец.
      7.1.5 Проектирование полупроводниковых ИМС (8 часов)

      Основные элементы конструкции полупроводниковых приборов и ИМС. Этапы
проектирования ИМС Особенности конструкции полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые приборы в качестве компонентов гибридных ИМС. Конструкции и
свойства бескорпусных полупроводниковых приборов. Особенности проектирования ИМС.
Функциональное,    схемотехническое   и    топологическое  проектирование    ИМС.
Функционально-интегрированные структуры. Критерии оценки качества конструкции.
Паразитные эффекты в конструкциях полупроводниковых ИМС. Особенности конструкции
БИС и СБИС. Конструктивно-технологические требования и ограничения на
полупроводниковые ИС. Конструкторская документация на полупроводниковые приборы и
ИМС. Стандартизация и конструкции корпусов ИМС.