Курсовое проектирование каскадов главного тракта приёма радиосигналов. Афанасьев Г.Ф. - 148 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

146

Рис. П.6.2.4. Характеристики транзисторов ГТ320(А-В).

1T313A, 1Т313Б, 1T313B, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-р универсальные.

Рис. П.6.2.5. Общий вид транзисторов 1T313(А-В), ГТ313(А-В).

Электрические параметры

• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при

кэ

=3 В, I

=15 мА, Т = 298 К

1Т313А 10 – 230

1Т313Б 10 – 75

1Т313В 30 – 230

• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I

=15 мА, I

=1,5 мА 0,7 В

• Напряжение насыщения база-эмиттер при I

=15 мА, I

=1,5 мА 0,6 В

• Емкость коллекторного перехода U

кб

=5 В

1Т313А – 1Т313В 2,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

• Постоянное напряжение коллектор-база: