Курсовое проектирование каскадов главного тракта приёма радиосигналов. Афанасьев Г.Ф. - 149 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

147

1Т313А – 1Т313В 12 В

ГТ313А – ГТ313В 15 В

• Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R

для 1Т313А, 1Т313Б,

1Т313В:

при Т≤318 К 12 В

при Т=343 К 7 В

• Постоянное напряжение эмиттер-база 0,7 В

• Постоянный ток коллектора 1Т313А – 1Т313В 50 мА

Рис. П.6.2.6. Характеристики транзисторов 1T313(А-В), ГТ313(А-В).

2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1, КТ317А-1, КТ317Б-1, КТ317В-1.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные

высокочастотные маломощные.

Рис. П.6.2.7. Общий вид транзисторов 2Т317(А – В)-1, КТ317(А – В)-1.