Курсовое проектирование каскадов главного тракта приёма радиосигналов. Афанасьев Г.Ф. - 150 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

148
Электрические параметры
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I
к
=10 мА, I
б
=1,7 мА,
2Т317А-1,КТ317А-1 0,3 В
при I
б
=1 мА:
2Т317Б-1, КТ317Б-1 0,3 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер при I
к
=10 мА, I
б
=1 мА
2Т317А-1,КТ317А-1 0,85 В
при I
б
=0,6 мА:
2Т317Б-1, КТ317Б-1 0,85 В
Статический коэффициент передачи в схеме с общим эмиттером при
U
кэ
=1 В, I
э
=1 мА, Т = 298 К
•
I
э
=1 мА, Т = 298 К
2Т317А-1, КТ317А-1 25 – 75
2Т317Б-1, КТ317Б-1 35 – 120
2Т317В-1, КТ317В-1 80 – 250
Предельные эксплуатационные данные
• Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмиттер при R
бэ
= 3 кОм
5 В
• Постоянное напряжение эмиттер-база
3,5 В
• Постоянный ток коллектора
15мА
• Импульсный ток коллектора при
τ
и
≤10 мкс; Q≥10, τ
ср
≤100 пс
45 мА
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213 – 313 К
15мВт
Рис. П.6.2.8. Характеристики транзисторов 2Т317(А – В)-1, КТ317(А – В)-1.

Страницы