Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Агеев О.А - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

33
.
100
t
K
t
Δ
Δ
=
γ
γ
γ
(38)
В табл.4, 5 приведены характеристики германиевых ГМРП с рабочим
диапазоном температур от –60
0
С до +60
0
С в различных режимах работы
(t=20
o
С).
Электрические параметры ГМРП в режиме максимальной
магнитной чувствительности Таблица 4
Тип R
г,
кОм R
H
, кОм I, мА
γ, В/Тл К
t γ
, %/град
размеры, мм
ГМР-1 20 200 1.0 80 2 10х0.5х0.2
ГМР-2 15 150 0.8 50 2 5.0x0.5x0.15
ГМР-3 5 100 0.8 20 2 2.0x0.5x0.15
ГМР-4 50 200 1.0 10 2 10.0x1.5x0.15
ГМР-5 25 200 1.0 6 2 6.0x1.5x0.15
Электрические параметры ГМРП в режиме минимального
температурного коэффициента магнитной чувствительности Таблица 5
тип R
г,
кОм R
H
, кОм I, мА
γ, В/Тл К
t γ
, %/град
размеры, мм
ГМР-1 20 8 1.0 60 0.2 10х0.5х0.2
ГМР-2 15 6 0.8 38 0.2 5.0x0.5x0.15
ГМР-3 5 2 0.8 16 0.2 2.0x0.5x0.15
ГМР-4 50 20 1.0 75 0.2 10.0x1.5x0.15
ГМР-5 25 10 1.0 45 0.2 6.0x1.5x0.15
2.4.3. Кремниевые интегральные ГМРП
Технология одновременного выращивания моно- и поликристалличе-
ских пленок кремния позволяет создать кремниевые ГМРП в интегральном
исполнении [18].
Наличие в монокристаллическом кремнии на границе с пленкой поли-
кремния (ПК) дефектов упаковки на расстоянии, равном примерно толщине
пленки, создает условие, при котором величина ГМР-эффекта может ока-
заться достаточной для его наблюдения в области
рабочих температур ИС.
Так, при толщине пленки 6 мкм ширина объемного приповерхностного слоя,
при удельном сопротивлении пленки 0,5 0м·см, меньше 1 мкм, и в слое мо-
нокремния на границе с пленкой ПК создается боковая поверхность с повы-
шенной скоростью рекомбинации вне слоя объемного заряда. При этом более
низкое значение чувствительности для кремниевых
образцов, по сравнению с
германиевыми, может быть скомпенсировано с помощью схемы усиления
сигнала, которую, благодаря эпитаксиально-планарной технологии изготов-
ления, можно расположить на едином кристалле с ГМРП.
В [20] описан Г'МР-элемент на основе кремниевой эпитаксиальной
пленки n-типа проводимости с удельным сопротивлением 5 Ом⋅см и толщи-

Страницы