Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 118 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

118
На рис.11 приведен частотный спектр ЭМП и предельная чувстви-
тельность аппаратуры космического аппарата США «Спейс Шаттл» к
воздействию ЭМП.
Рис.11. Частотный спектр ЭМП:1 – верхний предел ЭМП для Спейс
Шаттла;2 – уровень ЭМП от разрядов на расстоянии 1 м
8. РОЛЬ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫХ ЯВЛЕНИЙ
В РАДИАЦИОННЫХ АНОМАЛИЯХ ИСЗ
Основные радиационные механизмы, ответственные за возникнове-
ние аномалий в космическом электронном оборудовании следующие:
радиационные одиночные сбои (РОС) микросхем, зарядовые эффекты в
объеме диэлектриков внутри аппарата, поверхностная зарядка и разряд-
ные явления диэлектрических материалов на поверхности ИСЗ, дозовые
эффекты в элементах микросхем.
В настоящей главе анализируется вклад в радиационные аномалии
геостационарных и других ИСЗ электроразрядных явлений в объеме
диэлектрических элементов под действием электронов внешнего РПЗ с
энергией Е
е
>1 МэВ [1-14].
Основная опасность радиационной электризации диэлектриков внутри
аппарата для земных орбитальных спутников определяется наличием
высокой интенсивности электронов с Е
е
>1 МэВ в интервале 1,5R
з
- 4R
з
для экваториальной плоскости, где R
з
– радиус Земли. На рис.1 приве-
ден. усредненный энергетический спектр электронов на геостационар-
ной орбите в период геомагнитного шторма по данным ИСЗ CRRES [1] .
   На рис.11 приведен частотный спектр ЭМП и предельная чувстви-
тельность аппаратуры космического аппарата США «Спейс Шаттл» к
воздействию ЭМП.




Рис.11. Частотный спектр ЭМП:1 – верхний предел ЭМП для Спейс
Шаттла;2 – уровень ЭМП от разрядов на расстоянии 1 м


           8. РОЛЬ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫХ ЯВЛЕНИЙ
            В РАДИАЦИОННЫХ АНОМАЛИЯХ ИСЗ

   Основные радиационные механизмы, ответственные за возникнове-
ние аномалий в космическом электронном оборудовании следующие:
радиационные одиночные сбои (РОС) микросхем, зарядовые эффекты в
объеме диэлектриков внутри аппарата, поверхностная зарядка и разряд-
ные явления диэлектрических материалов на поверхности ИСЗ, дозовые
эффекты в элементах микросхем.
   В настоящей главе анализируется вклад в радиационные аномалии
геостационарных и других ИСЗ электроразрядных явлений в объеме
диэлектрических элементов под действием электронов внешнего РПЗ с
энергией Ее >1 МэВ [1-14].
Основная опасность радиационной электризации диэлектриков внутри
аппарата для земных орбитальных спутников определяется наличием
высокой интенсивности электронов с Ее>1 МэВ в интервале 1,5Rз - 4Rз
для экваториальной плоскости, где Rз – радиус Земли. На рис.1 приве-
ден. усредненный энергетический спектр электронов на геостационар-
ной орбите в период геомагнитного шторма по данным ИСЗ CRRES [1] .


                                118

Страницы