Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 117 стр.

Рис.10. Временная зависимость амплитуды электрической компоненты
ЭМП в анодированном алюминии от разряда:
1 – горизонтальная антенна; 2 – вертикальная антенна

   С ростом отрицательного напряжения на металлической ферме ап-
парата интенсивность разрядов на поверхности анодированного алюми-
ния возрастает (рис.9).
   Разрядный ток может достигать десятков ампер за ~5-10 мкс. Воз-
никает импульс ЭМП в интервале частот 0,1- 100 МГц, создающий око-
ло ИСЗ электромагнитное загрязнение.
   На рис.10 показана временная зависимость амплитуды электриче-
ской компоненты ЭМП в процессе разряда в анодированном покрытии.
   Одновременно с плазмоидом генерируется световая вспышка и ин-
жектируется поток атомов алюминия. При пробое покрытия инжекти-
руется Фа~1015 атомов, диаметр разрядного канала в покрытии достига-
ет 0,2-0,3 мм. Инжектированные атомы могут попасть на элементы оп-
тических устройств, что ухудшит их характеристики. Световая вспышка
создает ложные сигналы в оптоэлектронных системах ИСЗ. Скорость
выбрасываемого плазмоида составляет около 20 км/с.
                                 117