Основы электротехнологий. Анненков Ю.М - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

каф. ЭИКТ ЭЛТИ ТПУ
29
увеличивают растворимость в проявителе, а сшивающиеся резисты на-
оборот становятся не растворимыми. Указанные свойства полимерных
резистов изменять свою растворимость после экспонирования и исполь-
зуются в литографии для формирования рисунка микросхемы.
Литографический процесс включает следующие этапы:
- нанесение резистивной пленки на полупроводниковую пластину;
- облучение пластины через шаблон с определенным рисунком (
экс-
понирование);
- после экспонирования пластину помещают в раствор - проявитель.
В зависимости от типа используемого полимера при проявлении удаля-
ются экспонированные или неэкспонированные области пленки. В со-
ответствии с этим, резисты делятся на позитивные и негативные. К по-
зитивным (деструктирующим) резистам относятся полиметилметакри-
лат (ПММА), полибутен-1 сульфин (ПБС). Представителем сшиваю-
щихся
при облучении полимеров-резистов является полиглицилметак-
рилатэтилакрилат.
- термическое задубливание резиста для увеличения его адгезионных
свойств;
-
удаление резиста химическим или плазмохимическим способами.
Наиболее эффективно травление диэлектрических пленок и удале-
ние резиста с полупроводниковых пластин осуществляется в плазме вы-
сокочастотного разряда.
В настоящей лабораторной работе будет изучена технология страв-
ливания резистивной пленки с кремниевой пластины на установке
«Плазма-600». Процесс травления резистивной пленки осуществляется
следующим образом. В камере-
реакторе установки «Плазма-600» путем
высокочастотного разряда создается низкотемпературная воздушная
плазма, состоящая из ионов и электронов с энергиями до 100 эВ, актив-
ных кислородных (О) и азотных (N) радикалов, нейтральных газовых
молекул (N
2
,O
2
).
Электроны и ионы бомбардируют резистивную пленку, вызывая раз-
рыв химических связей и распыление пленки. Присутствующие в плаз-
ме радикалы взаимодействуют с продуктами радиационного разложения
пленки, образуя летучие вещества. Таким образом, осуществляется эф-
фективное удаление с полупроводниковой пластина полимерной пленки
резиста.
2.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
2.1. Цель и задачи работ
- Познакомиться с основными плазменными технологиями и техни-
ческими средствами их реализации.

Страницы