ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
каф. ЭИКТ ЭЛТИ ТПУ
28
1.3. Основные особенности высокочастотного разряда
Под действием ВЧ-электрического поля электроны приобретают
энергии порядка (10-100) эВ и оказываются способными эффективно
ионизовать при соударениях атомы и молекулы газа. Распределение
электронов по энергиям имеет сложный характер, отличный от распре-
деления Максвелла. При давлениях газа близких к атмосферному между
электродами возникает высокочастотная корона, которая при соответст-
вующей мощности генератора переходит
в высокочастотную дугу. При
низких давлениях газа режим ВЧ-разряда близок к режиму тлеющего
разряда. Высокочастотный разряд используется для образования плазмы
в ионных источниках, в молекулярных лазерах для создания однород-
ной активной среды, для осуществления плазмохимических процессов.
1.4. Использование газоразрядной плазмы в микроэлектронных
технологиях
Микроэлектроника это отрасль электронной техники, цель которой
состоит в создании устройств в микроминиатюрном исполнении.
Планарная технология является наиболее перспективным методом
получения подобных устройств. Основные операции планарной техно-
логии: нанесение тонких диэлектрических и металлических пленок на
поверхность полупроводниковой пластины; создание методами лито-
графии и травления необходимой топологии будущей микросхемы; об-
разование электронно-дырочных переходов при легировании кристалла
донорами и акцепторами. В результате этих операций отдельным участ-
кам
полупроводниковой пластины придаются свойства различных эле-
ментов: транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и т.д., что в
итоге и формирует интегральную микросхему.
Высокочастотная плазма широко используется в планарной техно-
логии для проведения операций получения и травления диэлектриче-
ских и, особенно, резистивных пленок.
Топология будущей микросхемы формируется методами литографии,
обеспечивающими перенос рисунка шаблона на поверхность полупро-
водниковой пластины. Главным элементом литографического процесса
является резист, представляющий собой полимерную пленку, раствори-
мость которой в проявителе зависит от
вида и длительности облучения.
В зависимости от вида радиации различают фото-, электроно- или рент-
гено-резисты. В литографии наибольшее распространение получили фо-
торезисты. В зависимости от природы полимера, в нем под действием
облучения развиваются либо деструкция (разрыв химических связей),
либо сшивание макромолекул (образуется объемная полимерная сетка).
Это приводит к тому, что
деструктирующие при облучении резисты
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
