Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 132 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

132
довательных приближений. Причем процесс может оказаться расходящимся,
как вследствие свойств оператора процесса, так и вследствие неточности
вычислений интеграла.
В качестве первого приближения выбирается поле тождественно
равное нулю на поверхности датчика. Второе приближение, согласно урав-
нению (4.5), получается равным удвоенному падающему полю. Третье при-
ближение получается подстановкой в правую часть уравнения (4.5) второго
приближения; аналогично вычисляются следующие приближения. Процесс
последовательных приближений контролируется относительной разностью
n
η
, которая определяется следующим соотношением:
−
=
+
),(
),(),(
max
1
ϕθ
ϕθϕθ
η
n
nn
n
H
HH
, (4.7)
где
n
– число приближений.
Процесс последовательных приближений прерывается либо при вы-
полнении условия
0
ηη
≤
n
,
где
0
η
- заданное число,
либо в первом минимуме
n
η
, если
n
η
окажется осциллирующей из-за неточ-
ности вычислений.
Рассчитанные таким образом поля на поверхности датчика исполь-
зуются для вычисления поля, переизлученного датчиком. Вычисление вто-
ричного поля производится по следующей формуле:
[ ][ ] [ ][ ]
( )
SdgradHngradnHHnnZirH
S
втор
′
−−=
∫
υυυεωε
π
),(,,
4
1
)(
0
(4.8)
4.2 Расчёт токов и полей на поверхности датчиков
Холла и экспериментальное исследование их параметров.
В результате решения задачи дифракции электромагнитных волн на
датчиках Холла был произведен расчет плотности тока
j
и напряжённости 
довательных приближений. Причем процесс может оказаться расходящимся,
как вследствие свойств оператора процесса, так и вследствие неточности
вычислений интеграла.

       В качестве первого приближения выбирается поле тождественно
равное нулю на поверхности датчика. Второе приближение, согласно урав-
нению (4.5), получается равным удвоенному падающему полю. Третье при-
ближение получается подстановкой в правую часть уравнения (4.5) второго
приближения; аналогично вычисляются следующие приближения. Процесс
последовательных приближений контролируется относительной разностью
η n , которая определяется следующим соотношением:

                                    
                  H n +1 (θ , ϕ ) − H n (θ , ϕ )   
       η n = max           
                                                    ,
                                                                                        (4.7)
                           H n (θ , ϕ )
                                                    

       где         n – число приближений.

       Процесс последовательных приближений прерывается либо при вы-
полнении условия

       ηn ≤ η0 ,

       где      η 0 - заданное число,

либо в первом минимуме η n , если η n окажется осциллирующей из-за неточ-
ности вычислений.

       Рассчитанные таким образом поля на поверхности датчика исполь-
зуются для вычисления поля, переизлученного датчиком. Вычисление вто-
ричного поля производится по следующей формуле:

                          ∫ (iωε εZυ [n[n, H ]] − [[H , n]gradυ ] − (n, H ) gradυ )dS ′
                     1                                            
       H втор (r ) =                                                                      (4.8)
                     4π
                                 0
                          S




     4.2 Расчёт токов и полей на поверхности датчиков
Холла и экспериментальное исследование их параметров.
     В результате решения задачи дифракции электромагнитных волн на
датчиках Холла был произведен расчет плотности тока j и напряжённости
                                                                                           132

Страницы