Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 131 стр.

ния параллельного ребру (рис.6). В этой системе координат уравнение по-
верхности датчика имеет следующий вид:

                          q                        l
       R (θ , ϕ ) = er         , при     q ctgθ ≤     ;
                         sin θ                      2

                          l                        l
        R(θ , ϕ ) = er           , при    q ctgθ ≥     ,      (4.6)
                         2 cos θ                     2

               b                b      d
где    q=           , при         tgϕ ≤ ;
            2 cos ϕ             2      2

               d                b      d
       q=           , при         tgϕ ≥ .
            2 sin ϕ             2      2




       Рис. 4.1




       Нами использовался метод последовательных приближений. Этот
метод позволяет описывать распределение поля на поверхности датчика
значительно точнее, и количество точек, в которых вычисляются поля,
определяется практически лишь затрачиваемым временем. Однако у этого
метода есть свои трудности, а именно, вопрос о сходимости процесса после-
                                                                      131