Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 22 стр.

       Vm = 4kΤr∆f      ,                                    (2.5)

где    k - постоянная Больцмана,

       Τ - абсолютная температура,

       r - сопротивление между выводами Холла,
       ∆f - ширина полосы пропускания частот усилителя в герцах.

       В датчиках из Ge, HgSe, HgTe шум имеет, вероятно, другую приро-
ду (1/f шум). Этот шум гораздо больше, чем тепловой шум, определяемый
по формуле (2.5) .

       Тепловой шум присущ любому омическому сопротивлению, поэтому
его можно рассматривать как минимально возможный шум датчика Холла,
изготовленного из низкоомного полупроводника.

       При оценке теоретического предела чувствительности датчиков
Холла будем принимать во внимание только тепловой шум.

       Зная величину шума, можно определить пороговую чувствитель-
ность Bпор датчика, т.е. минимальную индукцию магнитного поля, под воз-
действием которой на холловских выводах возникает ЭДС, равная по вели-
чине напряжению шума.

                               UH        kΤr∆f
                      Bпор =        =               .
                               γ        ARµPm ⋅ в



       Обозначим

          kΤ∆f
               = D,
           APm

       тогда

                  D    r
         Bпор =          .                                           (2.6)
                  в   Rµ




                                                                       22