Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 24 стр.

               С учётом формулы (2.7) выражение для пороговой чувствительности
можно записать в виде

                            D    2    в
               Bпор =              n                                              (2.8)
                           вU   πd 2r0




               В таблице 2.1 приводятся значения Vш и Bпор , вычисленные по фор-
мулам (2.5) и (2.8). Размеры датчика ( 10 × 5 × 0,2 мм 3 , ∆f = 100гц ). Из таблицы
видно, что из- за низкого уровня шума пороговая чувствительность датчиков
из Bi в 15 раз, а датчика из JnSb -- в 4,5 раза, лучше, чем у датчика из Si , не-
смотря на то, что вольтовая чувствительность кремниевого датчика в 2000
раз больше, чем датчика из висмута.

               Если, кроме того, учесть то обстоятельство, что в Si шум может быть
гораздо больше теплового, то станет ясно, что наилучшей пороговой чув-
ствительностью обладают датчики из JnSb и JnAs .

               Однако, на практике усиление таких малых сигналов как 10 −10 В (у
датчиков из Bi ) представляет большие трудности. Видимо по этой причине
висмутовые датчики Холла не получили широкого распространения. В этом
отношении вместо датчика из Bi , казалось бы, выгоднее использовать дат-
чик из кремния (Vш = 3 ⋅ 10 −6 В ) .Однако, здесь мы впадаем в другую крайность:
из-за очень большого сопротивления кремниевого датчика, порядка 106 Ом,
трудно обеспечить помехоустойчивость усилителя.

               С этой точки зрения наиболее пригодным является датчик из герма-
ния (r = 5 ⋅ 10 3 oм ).

               Несколько сложнее усиливать пороговые сигналы на датчиках из
JnSb и JnAs .

               Перспективным представляется датчик из чистого антимонида индия
(n = 10   13
               см −3   )   JnSb , охлаждённый до 80-130 K , вольтовая чувствительность

                                                                                     24