Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

26
вd;;
- геометрические размеры датчика.
Мощность
вх
Р
, рассеиваемая на сопротивлении r
т
датчика между то-
ковыми выводами, определяется током
I
в датчике по формуле
вd
IrIP
вх
⋅
⋅
⋅=⋅=
Τ
ρ
22
. (2.11)
Подставляя (2.9) и (2.11) в (2.8) и учитывая, что
E
j
=
σ
для полупроводника с
электронной проводимостью и
d
BI
RU
Hx
⋅
⋅=
, для коэффициента использова-
ния можно получить следующее выражение
4
222
BA
µ
η
=
, (2.12)
т.е. коэффициент использования пропорционален квадрату подвиж-
ности электронов в полупроводнике. Отсюда видно явное преимущество по-
лупроводников с высокой подвижностью электронов
.
4. Коэффициент передачи
K
.
Коэффициент передачи представляется в виде
y
x
E
E
K =
,
следовательно, он прямо пропорционален подвижности носителей заряда.
Таким образом, и в этом случае важно выбрать полупроводник с вы-
сокой подвижностью носителей заряда, т.е. InAs и InSb.
5. Температурная зависимость параметров датчиков. Рабочая об-
ласть температур.
Изменение параметров датчика с изменением температуры происхо-
дит, главным образом, из-за наличия температурной зависимости концен-
трации и подвижности носителей заряда.
Кроме того, с температурой может изменяться и механизм рассеяния
носителей заряда (параметр
A
) и сопротивление контактов. 
        ; d; в - геометрические размеры датчика.

       Мощность Рвх , рассеиваемая на сопротивлении r т датчика между то-
ковыми выводами, определяется током I в датчике по формуле

                                 ρ ⋅
        Pвх = I 2 ⋅ rΤ = I 2 ⋅          .                                       (2.11)
                                 d ⋅в
                                                              j
Подставляя (2.9) и (2.11) в (2.8) и учитывая, что σ =           для полупроводника с
                                                              E
                                                   I ⋅B
электронной проводимостью и U x = RH ⋅                  , для коэффициента использова-
                                                     d
ния можно получить следующее выражение

             A2 µ 2 B 2
       η=               ,                                                        (2.12)
                 4

       т.е. коэффициент использования пропорционален квадрату подвиж-
ности электронов в полупроводнике. Отсюда видно явное преимущество по-
лупроводников с высокой подвижностью электронов (JnAs, JnSb ) .

       4. Коэффициент передачи K .

       Коэффициент передачи представляется в виде

                                            Ex
                                   K=          ,
                                            Ey

следовательно, он прямо пропорционален подвижности носителей заряда.
        Таким образом, и в этом случае важно выбрать полупроводник с вы-
сокой подвижностью носителей заряда, т.е. InAs и InSb.
          5. Температурная зависимость параметров датчиков. Рабочая об-
ласть температур.

       Изменение параметров датчика с изменением температуры происхо-
дит, главным образом, из-за наличия температурной зависимости концен-
трации и подвижности носителей заряда.

       Кроме того, с температурой может изменяться и механизм рассеяния
носителей заряда (параметр A ) и сопротивление контактов.

                                                                                   26

Страницы