Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

27
В режиме холостого хода изменение чувствительности датчика с
температурой за счёт изменения подвижности можно скомпенсировать, под-
держивая постоянным ток через датчик.
В этом случае
d
RI
=
γ
.
Тогда изменение чувствительности с температурой будет опреде-
ляться только температурной зависимостью постоянной Холла
R
.
Данные в таблице 2.2 относятся к области собственной проводимо-
сти, где постоянная Холла равна
1
1
+
−
⋅=
h
h
n
A
R
i
Где
P
n
h
µ
µ
=
- отношение подвижности электронов к подвижности
дырок в полупроводнике,
i
n
- концентрация носителей заряда в области собственной
проводимости.
Таблица 2.2
Материал
датчика
E
0
(эВ)
n
i
(T)
i
i
Si
1,21
3,9·10
22
T
3/2
e
-7020/T
Ge
0,786
9,7·10
22
T
3/2
e
-4350/T
InAs
0,47
2,7·10
21
T
3/2
e
-2720/T
InSb
0,26
6·10
20
T
3/2
e
-1510/T
       В режиме холостого хода изменение чувствительности датчика с
температурой за счёт изменения подвижности можно скомпенсировать, под-
держивая постоянным ток через датчик.

       В этом случае

             RI
       γ =      .
             d

       Тогда изменение чувствительности с температурой будет опреде-
ляться только температурной зависимостью постоянной Холла R .

       Данные в таблице 2.2 относятся к области собственной проводимо-
сти, где постоянная Холла равна

                                    A h −1
                               R=     ⋅
                                    ni h + 1

                         µn
       Где      h=          - отношение подвижности электронов к подвижности
                         µP

дырок в полупроводнике,
                    ni - концентрация носителей заряда в области собственной

проводимости.
       Таблица 2.2

               Материал                           n i (T)               dn i /n i dT на 10С
               датчика         E 0 (эВ)
                    Si                    1,21   3,9·1022T3/2e-7020/T   8,3%


                    Ge                    0,786 9,7·1022T3/2e-4350/T    5,5 %


                InAs                      0,47   2,7·1021T3/2e-2720/T   3,3 %


                InSb                      0,26   6·1020T3/2e-1510/T     2,2 %




                                                                                         27

Страницы