Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 29 стр.

  нагрузку наряду с температурной зависимостью R и µ следует учитывать
  также температурную зависимость сопротивления датчика, т.к. изменение
  внутреннего сопротивления датчика ведёт к рассогласованию входа усили-
  теля.
                Из вышеизложенного ясно, что применять для изготовления дат-
  чиков Холла полупроводники с собственной проводимостью целесообразно
  лишь в том случае, если требуется высокая чувствительность, а температур-
  ная зависимость параметров играет второстепенную роль. Для точности из-
  мерений необходимо либо точно компенсировать зависимость параметров
  от температуры, либо использовать для изготовления датчиков легирован-
  ные полупроводники с параметрами, не зависящими от температуры. В од-
  ной из своих работ В.В.Галаванов [7] приводит теоретическое обоснование
  выбора минимальной концентрации примеси N min в легированных полупро-
  водниках. В качестве примера в работе вычисляется N min для разных полу-
  проводниковых материалов. Минимальное значение N min должно быть вы-
  брано так, чтобы температурный коэффициент чувствительности датчика не
  превышал заданную величину.
             Значение N min , отвечающее этому требованию, можно определить по
                                  µn
  известным величинам h =            и ni , если предположить, что в интересующей
                                  µp

  нас области температур А и N не зависят от температуры. Данные вычис-
  лений приведены в таблице 2.3, единицы измерений такие же, как и в табли-
  це 2.1 .

             Таблица 2.3

                                                                  U
                                                                            γ
Мате-     h      n i (T)     ni           N min   Rx       μ,      ρ
риал




                                                                                29