Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

31
нов на ионах примеси
93.1=A
. Исследования показывают, что при комнат-
ной температуре в
JnSb
, а также в
JnAs
в пределах точности эксперимента
R
не зависит от
B
.Это указывает на то, что в данных полупроводниках
1=A
.
В этом отношении
JnSb
и
JnAs
имеют явное преимущество перед
Ge
,
где
и наблюдается зависимость
R
от
B
. Кроме того, для
Si
и
Ge
следует учитывать влияние анизотропии на эту зависимость. При работе
датчика на внешнюю нагрузку следует учитывать также изменение внутрен-
него сопротивления датчика Холла в магнитном поле. В слабых магнитных
полях магнитосопротивление равно
22
B
βµ
ρ
ρ
=
∆
,
где
β
- параметр, величина которого определяется характером
рассеяния электронов.
Теоретические исследования показывают, что в
JnSb
ρ
ρ
∆
бли-
зок к нулю, т.е. несмотря на высокую подвижность электронов
ρ
ρ
∆
в
InSb
очень мало. Установлено Weiss H. [5], что обычно наблюдаемое в экспери-
менте большое
ρ
ρ
∆
в
InSb
связано с наличием неоднородностей в полупро-
воднике. Отсюда можно заключить, что для изготовления датчиков Холла
следует использовать однородные полупроводники.
7. Геометрические размеры датчика.
Величина ЭДС Холла зависит и от геометрических размеров датчи-
ка, а именно, от соотношения длины и ширины, а также от толщины датчи-
ка. Формула (2.1) выведена для случая бесконечно длинного образца, когда
1
>>
в
. 
нов на ионах примеси A = 1.93 . Исследования показывают, что при комнат-
ной температуре в JnSb , а также в JnAs в пределах точности эксперимента
R     не зависит от B .Это указывает на то, что в данных полупроводниках
A = 1.

           В этом отношении JnSb и JnAs имеют явное преимущество перед Ge ,
где A = 1.18 и наблюдается зависимость R от B . Кроме того, для Si и Ge
следует учитывать влияние анизотропии на эту зависимость. При работе
датчика на внешнюю нагрузку следует учитывать также изменение внутрен-
него сопротивления датчика Холла в магнитном поле. В слабых магнитных
полях магнитосопротивление равно

            ∆ρ
                 = βµ 2 B 2 ,
            ρ

           где     β - параметр, величина которого определяется характером

рассеяния электронов.
                                                                           ∆ρ
                     Теоретические исследования показывают, что в JnSb          бли-
                                                                           ρ
                                                                     ∆ρ
зок к нулю, т.е. несмотря на высокую подвижность электронов               в InSb
                                                                      ρ

очень мало. Установлено Weiss H. [5], что обычно наблюдаемое в экспери-
                       ∆ρ
менте большое               в InSb связано с наличием неоднородностей в полупро-
                        ρ

воднике. Отсюда можно заключить, что для изготовления датчиков Холла
следует использовать однородные полупроводники.


           7.    Геометрические размеры датчика.
           Величина ЭДС Холла зависит и от геометрических размеров датчи-
ка, а именно, от соотношения длины и ширины, а также от толщины датчи-
ка. Формула (2.1) выведена для случая бесконечно длинного образца, когда

  >> 1
в      .


                                                                                   31

Страницы