Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

30
Мате-
риал
h
n
i
(T)
n
i
N
min
R
x
U
μ,
ρ
γ
Ge
2
97·10
21
·T
3/2
×
×e
-4350/T
1,25·10
20
1,3·10
21
5,7·10
-3
0,36
1,3·10
-2
75·10
-6
InAs 8
0
2,7·10
21
·T
3/2
×
×e
-2720/T
4,6·10
21
3,2·10
22
2,3·10
-4
2,5
8·10
-5
2·10
-6
InSb 4
0
6·10
20
·T
3/2
×
×e
-1510/T
4·10
22
2,8·10
23
2,6·10
-5
4,6
3·10
-5
8·10
-6
6. Зависимость чувствительности датчика Холла от индукции маг-
нитного поля.
Зависимость постоянной Холла
R
, а, следовательно, и вольтовой
чувствительности
γ
от индукции магнитного поля
B
по теории должна
наблюдаться при
15,0>B
µ
, т.е. при
02,0>B
Тл в
JnSb
и
5,0>B
Тл в
Ge
. Ис-
ходя из этой оценки, считалось, что в
JnSb
при обычных полях 0.05 - 1 Тл
постоянная Холла
R
должна зависеть от
B
. Однако, в эксперименте зависи-
мость
R
от
B
не обнаруживается. Объяснение этого факта сводится к сле-
дующему.
Из теории гальваномагнитных эффектов в изотропном полупровод-
нике известно, что в сильных полях
( )
1>>B
µ
параметр
А
в формуле
ne
A
R =
равен единице
( )
1=A
. В слабом поле величина
А
в зависимости от механиз-
ма рассеяния электронов изменяется от 1 до 2; при рассеянии электронов на
тепловых акустических колебаниях решётки
18.1=A
; при рассеянии элек-
тронов на оптических колебаниях
1.1=A
или
1=A
; при рассеянии электро-
                                                                        U
                                                                                   γ
Мате-    h       n i (T)       ni          N min      Rx         μ,     ρ
риал



                                                                                   75·10 -6
Ge       2    97·1021·T3/2×    1,25·1020   1,3·1021   5,7·10-3   0,36   1,3·10-2
               ×e-4350/T


                                                                                   2·10-6
InAs     8    2,7·1021·T3/2×   4,6·1021    3,2·1022   2,3·10-4   2,5    8·10-5
         0     ×e-2720/T


                                                                                   8·10-6
InSb     4    6·1020·T3/2×     4·1022      2,8·1023   2,6·10-5   4,6    3·10-5
         0     ×e-1510/T




             6. Зависимость чувствительности датчика Холла от индукции маг-
  нитного поля.

         Зависимость постоянной Холла R , а, следовательно, и вольтовой
  чувствительности γ от индукции магнитного поля B по теории должна
  наблюдаться при µB > 0,15 , т.е. при B > 0,02 Тл в JnSb и B > 0,5 Тл в Ge . Ис-
  ходя из этой оценки, считалось, что в JnSb при обычных полях 0.05 - 1 Тл
  постоянная Холла R должна зависеть от B . Однако, в эксперименте зависи-
  мость R от B не обнаруживается. Объяснение этого факта сводится к сле-
  дующему.

         Из теории гальваномагнитных эффектов в изотропном полупровод-

  нике известно, что в сильных полях (µB >> 1) параметр А в формуле R =
                                                                                    A
                                                                                    ne
  равен единице ( A = 1) . В слабом поле величина А в зависимости от механиз-
  ма рассеяния электронов изменяется от 1 до 2; при рассеянии электронов на
  тепловых акустических колебаниях решётки A = 1.18 ; при рассеянии элек-
  тронов на оптических колебаниях A = 1.1 или A = 1 ; при рассеянии электро-

                                                                                       30

Страницы