Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

23
Рассмотрим подробнее вопрос о сопротивлении между контактами
датчика. Будем считать, что при прохождении тока между контактами экви-
потенциальные линии представляют собой в первом приближении окружно-
сти с центрами в точках контактов (рис.2.1), при этом сопротивлением в об-
ласти II пренебрегаем, поскольку основной вклад в общее сопротивление
между контактами вносят окрестности контактов из-за малой площади по-
перечного сечения.
Рис. 2.1
На основании этих соображений получаем
0
2/
0
2
2
2
2
0
r
в
n
d
nr
в
n
dd
d
R
в
π
ρ
π
ρ
πτ
τρ
τ
=
−==
∫
(2.7)
Где
ρ
- удельное сопротивление полупроводника,
d
- толщина датчика,
в
- ширина датчика,
r
о
- радиус контакта. 
       Рассмотрим подробнее вопрос о сопротивлении между контактами
датчика. Будем считать, что при прохождении тока между контактами экви-
потенциальные линии представляют собой в первом приближении окружно-
сти с центрами в точках контактов (рис.2.1), при этом сопротивлением в об-
ласти II пренебрегаем, поскольку основной вклад в общее сопротивление
между контактами вносят окрестности контактов из-за малой площади по-
перечного сечения.




                                   Рис. 2.1

       На основании этих соображений получаем
                     в/2
                           ρdτ   ρ  в          2ρ     в
                R=2∫           =    n − nr0  =  n         (2.7)
                     τ0    πτd πd  2           πd    2r0

       Где ρ    - удельное сопротивление полупроводника,
            d   - толщина датчика,
            в   - ширина датчика,
            r о - радиус контакта.

                                                                        23

Страницы