ВУЗ:
Составители:
6
3. безинерционность датчиков Холла в диапазоне СВЧ;
4. возможность индицирования различных уровней мощности элек-
тромагнитного излучения на расстоянии порядка толщины датчика;
5. возможность повышения чувствительности датчиков Холла путём
охлаждения их до температуры 70-100 К.При этом чувствительность их по-
вышается на два порядка;
6. простота измерительной схемы;
7. малая величина искажений, вносимых датчиком в исследуемое
электромагнитное поле;
8. малый уровень собственных шумов датчика Холла. Мощность их
собственных шумов имеет порядок величины (10
-17
-10
-19
)Вт/Гц;
9. высокая надёжность датчиков Холла.
Всё вышесказанное позволяет сделать вывод, что гальваномагнитные
датчики являются весьма перспективными чувствительными элементами
различных СВЧ устройств. Это стало возможным в связи с появлением и ис-
следованием полупроводниковых материалов типа А
3
В
5
. Благодаря ре-
кордно высокой подвижности носителей заряда (электронов), особенно в
антимониде индия InSb, проявление гальваномагнитных явлений стано-
вится более существенным.
1.Глава первая. Гальваномагнитные явления в по-
лупроводниках.
1.1. Эффект Холла в полупроводниках.
Рассмотрим теорию эффекта Холла по результатам работы [2] в
условиях параболичности зон и при малой концентрации примесей, когда
доминирующим механизмом рассеяния является рассеяние на тепловых ко-
лебаниях решётки (фононах).
3. безинерционность датчиков Холла в диапазоне СВЧ; 4. возможность индицирования различных уровней мощности элек- тромагнитного излучения на расстоянии порядка толщины датчика; 5. возможность повышения чувствительности датчиков Холла путём охлаждения их до температуры 70-100 К.При этом чувствительность их по- вышается на два порядка; 6. простота измерительной схемы; 7. малая величина искажений, вносимых датчиком в исследуемое электромагнитное поле; 8. малый уровень собственных шумов датчика Холла. Мощность их собственных шумов имеет порядок величины (10-17-10-19)Вт/Гц; 9. высокая надёжность датчиков Холла. Всё вышесказанное позволяет сделать вывод, что гальваномагнитные датчики являются весьма перспективными чувствительными элементами различных СВЧ устройств. Это стало возможным в связи с появлением и ис- следованием полупроводниковых материалов типа А 3 В 5 . Благодаря ре- кордно высокой подвижности носителей заряда (электронов), особенно в антимониде индия InSb, проявление гальваномагнитных явлений стано- вится более существенным. 1.Глава первая. Гальваномагнитные явления в по- лупроводниках. 1.1. Эффект Холла в полупроводниках. Рассмотрим теорию эффекта Холла по результатам работы [2] в условиях параболичности зон и при малой концентрации примесей, когда доминирующим механизмом рассеяния является рассеяние на тепловых ко- лебаниях решётки (фононах). 6
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »