Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 75 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

75
Рис. 2.22
Видно, что эта зависимость линейна вплоть до I =150мА. Вольтовая
чувствительность датчика γ достигает 600 В/А·Тл. ЭДС Холла при B=0,6Тл,
I = 100мА в датчике 1 достигает 14 В (рис. 2.23).
Рис. 2.23 
                                  Рис. 2.22
       Видно, что эта зависимость линейна вплоть до I =150мА. Вольтовая
чувствительность датчика γ достигает 600 В/А·Тл. ЭДС Холла при B=0,6Тл,
I = 100мА в датчике 1 достигает 14 В (рис. 2.23).




                                 Рис. 2.23



                                                                    75

Страницы